ISL71040MEV1Z

耐放射線性ローサイドGaN FETドライバ評価ボード

ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M評価用に設計されています。ISL71040MローサイドGaN FETドライバは、絶縁トポロジおよび昇圧タイプ構成で、エンハンスモードのガリウム窒化(GaN)FETを動作させるように設計されています。これは4.5V~13.2Vで動作し、単一デバイス内での非反転および反転ゲート駆動を評価するため、両方の入力が行えます。ISL71040Mは、4.5Vのゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、エンハンスモードGaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部レギュレータを使用して生成されます。さらに特徴として、低電圧ロックアウト(UVLO)保護があります。これは入力(INおよびINB)を無視し、OUTLのオン状態を維持して、VDRVがUVLO閾値を下回ると、必ずGaN FETをオフにします。ISL71040M入力は、VDD電圧に関係なく、最大14.7Vの電圧に耐えることができます。これによりISL71040M入力は、ほとんどのPWMコントローラに直接接続できます。ISL71040Mの分割出力により、オン/オフ切り替えパスにインピーダンスを追加することで、オン/オフ速度を独立して調整できる柔軟さを持たせることができます。

主な特徴

  • 幅広いVDD範囲シングル
    • 4.5V~13.2V
  • GaN FETを切り替える負荷抵抗器を設置するスペース
  • ゲート波形を解析するためのゲート駆動電圧のSMAコネクタ
  • ドレイン-ソース波形を解析するためのドレイン/ソースセンステストポイント
  • 電源供給およびドレイン/ソース接続用のバナナジャックコネクタ

用途

  • フライバックおよびフォワードコンバータ
  • ブーストおよびPFCコンバータ
  • セカンダリ同期FETドライバ

ISL71040MEV1Z評価ボード

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Taking Advantage of GaN in Small Satellite New Space Applications

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小型衛星の新たな分野をサポートするように設計された、耐放射線性プラスチックパッケージICについて説明しています。ご覧ください。
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ツール情報

ツール発注型名 Production Status メーカー シングルツール推奨価格
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