RTKA226110DE0040BU

RTKA226110DE0040BUはRAA226110ゲートドライバ評価ボードです。 この評価キットは2つのGaNシステム650V GaNエンハンスメントモードHEMT（E-HEMT）や、ハーフブリッジゲートドライバ、絶縁型電源、ハーフブリッジパワー段を構成する任意のヒートシンクを含むすべての必要な回路から構成されます。 汎用マザーボード（P/N：GS665MB-EVB）またはユーザシステムのいずれかを使用して、ハーフブリッジベースのトポロジーでのGaN E-HEMT性能の評価を可能にします。 RTKA226110DE0040BUボードは通常高電力および高信頼性アプリケーションで使用される-3Vターンオフ電圧ソリューションを提供します。 負の駆動電圧は可能性のある地動雑音からの影響や、システムや環境による障害を避けるために、必要に応じてGaN FETをターンオフ状態に保つのに役立ちます。 低電力のアプリケーションには、0Vターンオフ電圧付きRTKA226110DE0010BU をご参照ください。