概要

説明

The N0608N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 14.3 mΩ max. ( VGS = 10 V, ID = 26 A )
  • Low Ciss : Ciss = 1950 pF typ. ( VDS = 25 V )
  • High current : ID(DC) = ±52A
  • RoHS Compliant
  • Quality Grade : Standard
  • Applications : For high current switching

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 671 KB
カタログ PDF 8.73 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
5 items

設計・開発

モデル