IGBT 1250V 30A Wafer
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概要
特長
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Tc = 25°C)
- High-Speed switching
- Short circuit withstands time (10 μs min.)
ドキュメント
| Document title | Document type
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日付 日付 | |
|---|---|---|---|
| PDF 110 KB | データシート | ||
| PDF 1.92 MB | カタログ | ||
| PDF 1.32 MB | カタログ | ||
| PDF 633 KB 英語 | アプリケーションノート | ||
| PDF 655 KB 英語 | アプリケーションノート | ||
| PDF 1.23 MB 英語 | アプリケーションノート | ||
| PDF 1.16 MB 英語 | アプリケーションノート | ||
| PDF 5.10 MB 英語 | カタログ | ||
| PDF 596 KB | ガイド | ||
9 items
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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製品選択
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| Wafer |
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