OVERVIEW
The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
KEY FEATURES
- Low on-state resistance
RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) - Low input capacitance
Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) - High current
ID(DC) = ±100 A - RoHS Compliant
PARAMETRICS
Parameters
N0602N
Basic Information
Production Status
量産中
PLP
PLP (期間は発注型名を参照)
Package Type
TO-220
Nch/Pch
Nch
構成
Single
VDSS (V) (max)
60
ID (A)
100
RDS (ON) (mohm) (max) @10V/8V
4.6
Ciss (pF) (Typ.)
7730
Vgs (オフ) (V) (max)
4
VGSS (V)
20
Pch (W)
156
応用分野
Industrial, Consumer Use
実装タイプ
Through Hole
シリーズ名
N0 Series
QG (nC) (Typ.)
133
発注型名の見方についてはこちら。
ソフトウェア/ハードウェア共通情報
| タイトル | 概要 |
|---|---|
| My Renesas | My Renesasに登録いただくと、各種ドキュメントの改訂情報、ツール製品などのダウンロードサービスやメールニュースなどの各種サービスをご利用いただけるようになります。 |
| セミナー | 当製品のセミナーや、学習のための情報が掲載されています。 |
| FAQ | 当製品のよくあるお問合せ、開発のヒントが掲載されています。 |
| フォーラム | ルネサスの総合コミュニティサイトです。 |