RJP65T43DPM

IGBT 650V 40A TO-3PFM

負荷短絡耐量と低VCE(sat)特性を両立して安全性と高効率化を実現。

お勧め品
RJP65T43DPM-00#T1
Production Status
量産中
Product Status: 量産中
PLP (期間は発注型名を参照)

OVERVIEW

  • UPS、モータ、太陽光発電、溶接機向けの製品シリーズです。
  • 推奨周波数:1kHz~50kHz
  • 負荷短絡保証:あり/なし

[注意]
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意があります。
必ずご一読下さい。

KEY FEATURES

    • Low collector to emitter saturation voltage
      VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
    • Isolated package
    • Trench gate and thin wafer technology (G7H series)
    • High speed switching
      tf = 45 ns typ. (at VCC = 400 V, VGE = 15 V , IC = 20 A, Rg = 10 Ω, Ta = 25°C, Inductive load)
    • Operation frequency (20kHz ≤ f ˂ 100kHz)
    • Not guarantee short circuit withstand time

PARAMETRICS

Parameters
RJP65T43DPM
Basic Information
Production Status
量産中
PLP
PLP (期間は発注型名を参照)
シミュレーションデータ
パッケージタイプ
TO-3PFM
構成
Single
インバータ
YES
PFC
YES
VCES (V)
650
Ic (peak) (A)
150
IC (A) @25 °C
40
IC (A) @100 °C
20
VCE (sat) (V)
1.8
tf (µs) (Typ.)
0.045
Pch (W)
68.8
応用分野
PFC
実装タイプ
Through Hole

パッケージ外観と等価回路

パッケージ外形図

お客様の開発をサポートする様々な情報をご用意しております。
発注型名の見方についてはこちら

ソフトウェア/ハードウェア共通情報

タイトル 概要
My Renesas MY RENESASに登録いただくと、各種ドキュメントの改訂情報、ツール製品などのダウンロードサービスやメールニュースなどの各種サービスをご利用いただけるようになります。
セミナー 当製品のセミナーや、学習のための情報が掲載されています。
FAQ 当製品のよくあるお問合せ、開発のヒントが掲載されています。
フォーラム ルネサスの総合コミュニティサイトです。
Video 当製品に関するVideoコンテンツをご覧いただけます。