R1RW0416DSB-0PR

4M High Speed SRAM (256-kword × 16-bit)

通信、産業システム向に、4M非同期高速SRAMをラインナップしています。 [注意] ※1)当社製品の品質水準について 当社は、当社製品の品質水準を「標準水準」および「高品質水準」に分類しており、 ここに掲載しております製品は、すべて「標準水準」です。 データシートの「ご注意書き」をご確認の上、ご使用戴きますよう、お願い致します。 ※2)高品質水準としての「車載グレード」非対応について 当社 汎用メモリ(SRAM・EEPROM)製品は、高品質水準としての「車載グレード」には対応しておりません。 走行系/安全系の用途に該当しない、自動車用アクセサリ製品などの用途につきましては、 お客様との間で、ご要求品質についての詳細な確認・取り交わしをさせていただいた上で、 「標準水準」製品として対応させていただく場合がございます。詳細は当社営業までお問い合わせください。

お勧め品
R1RW0416DSB-0PR#S1
Production Status
量産中
Product Status: 量産中(*)
PLP (期間は発注型名を参照)

OVERVIEW

R1RW0416D シリーズは 256k ワード×16 ビット構成の 4M ビット高速スタティック RAM です。CMOS(6 トランジスタメモリセル)プロセス技術を採用し,高密度,高性能,低消費電力を実現しました。したがってR1RW0416D シリーズはキャッシュ,バッファメモリシステムに最適です。とくに、L-Version、S-Version は低消費電力でありバッテリバックアップシステムに最適です。
パッケージは 400-mil 44 ピンプラスチック SOJ と 400-mil 44 ピンプラスチック TSOPII を用意しています。

KEY FEATURES

    • 単一 3.3 V 電源:3.3V ± 0.3V
    • アクセス時間:10 ns /12 ns (max)
    • 完全なスタティックメモリです。
      クロック,タイミングストローブを必要としません。
    • アクセスとサイクル時間が同じです。
    • すべての入出力が TTL コンパチブルです。
    • 動作電流:145/130mA (max)
    • TTL スタンバイ電流:40mA (max)
    • CMOS スタンバイ電流:
      5mA (max)
      0.8mA (max) (L-version)
      0.5mA (max) (S-version)
    • データ保持電流:
      0.4mA (max) (L-version)
      0.2mA (max) (S-version)
    • データ保持電圧:2V (min) (L-version,S-version)
    • センターVCC,VSS タイプピン配置。

PARAMETRICS

Parameters
R1RW0416DSB-0PR
Basic Information
Production Status
量産中(*)
PLP
PLP (期間は発注型名を参照)
メモリ容量 (Mbit)
4
語構成 (Kword)
256
語構成 (bit)
x 16
Package Type
TSOPII(44)
アクセス時間 (ns)
10
電源電圧 (V)
3.0 to 3.6
動作周囲温度 (°C)
0 to 70

パッケージ外形図

パッケージ外形図

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ソフトウェア/ハードウェア共通情報

タイトル 概要
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