概要

R1LV0108Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072 語 ×8 ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0108E シリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ（SOP，TSOP，sTSOP）が用意されています。

  • 2.7V～3.6V 単一電源
  • 低スタンバイ電源電流 0.6µA（Vcc=3.0V 標準値）
  • 外部クロック及びリフレッシュ操作不要
  • 入出力ともTTL直結可能
  • CS1#, CS2信号によりメモリ容量の拡張可能
  • データ端子は入力、出力が共通
  • 出力はスリーステートでORタイが可能
  • OE#入力によるI/Oバスでのデータの競合防止可能

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models

製品選択

    Processing table
    PLP
    Pkg. Type
    Carrier Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Price (USD) | 1ku
    ご購入 / サンプル
    型名
    R1LV0108ESA-5SI#B1
    circleアクティブ
    memory
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    サンプル入手可能
    		 2032 12月 sTSOP(32) Tray 3 2.357 サンプルを入手,
    R1LV0108ESA-5SI#S1
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		2032 12月 sTSOP(32) Embossed Tape 3 2.195
    R1LV0108ESF-5SI#B1
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    サンプル入手可能
    		 2031 3月 TSOP(32) Tray 3 サンプルを入手,
    R1LV0108ESF-5SI#S1
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		2031 3月 TSOP(32) Embossed Tape 3 2.195
    R1LV0108ESN-5SI#B1
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    サンプル入手可能
    		 2032 12月 SOP(32) Tube 3 2.265 サンプルを入手,
    R1LV0108ESN-5SI#S1
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		2032 12月 SOP(32) Embossed Tape 3 2.195
    Parametric Table tips

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    • Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
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