RJE0603JPE

シリコン P チャネル MOS FET シリーズ 電力スイッチング

ボディ・ライティング・ヒータアプリケーション向け、またパワートレインアプリケーション向け、24Vアプリケーション向けに、過熱保護機能を内蔵し、パワーMOSFETとパッケージ互換の製品群をサーマルFETとして提供します。

Product Status: 量産中

OVERVIEW

本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です。構造はパワーMOS FET (RDS = 15 mΩ) のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

KEY FEATURES

    • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。
    • 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
    • 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。
    • 電流制限回路を内蔵しております。

PARAMETRICS

Parameters
RJE0603JPE
Basic Information
Nch/Pch
Pch
構造
Single
車載
YES
VDSS (V)
-60
ID (A)
-50
RDS (ON) (mohm) (max) @4V~4.5V
30
RDS (ON) (ohm) (Typ.) @4V~4.5V
16
RDS (ON) (mohm) (max) @8V~10V
15
RDS (ON) (ohm) (Typ.) @8V~10V
12
Pch (W) .
100
Tsd (°C) (Typ.)
175
パッケージタイプ
LDPAK(S)(1)
Production Status
量産中

パッケージ外観と等価回路

パッケージ外形図

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