HAF2017S

シリコン N チャネル MOS FET シリーズ 電力スイッチング

ボディ・ライティング・ヒータアプリケーション向け、またパワートレインアプリケーション向け、24Vアプリケーション向けに、過熱保護機能を内蔵し、パワーMOSFETとパッケージ互換の製品群をサーマルFETとして提供します。

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OVERVIEW

本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です 。構造はパワーMOS FET(RDS 35mΩ)のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

KEY FEATURES

    • ロジックレベル (4~6 V) 駆動型パワーMOS FET です。
    • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。
    • 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
    • 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。

PARAMETRICS

Parameters
HAF2017S
Basic Information
Nch/Pch
Nch
構造
Single
VDSS (V)
60
ID (A)
20
RDS (ON) (mohm) (max) @4V~4.5V
53
RDS (ON) (ohm) (Typ.) @4V~4.5V
35
RDS (ON) (mohm) (max) @8V~10V
43
RDS (ON) (ohm) (Typ.) @8V~10V
27
Pch (W) .
50
Tsd (°C) (Typ.)
175
パッケージタイプ
LDPAK(S)(1)
Production Status
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パッケージ外観と等価回路

パッケージ外形図

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