概要

Description

This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. .

特長

  • Logic level operation (3 V Gate drive).
  • Built-in the over temperature shut-down circuit.
  • High endurance capability against to the short circuit.
  • Hysteresis type shut down operation.
  • High density mounting.
  • Built-in the current limitation circuit.
  • Power supply voltage applies 12 V and 24 V.
  • AEC-Q101compliant.

ドキュメント

タイトル 分類 日付
PDF439 KBEnglish
データシート
PDF2.65 MBEnglish
アプリケーションノート
PDF4.38 MB
カタログ
PDF2.24 MB
カタログ
PDF1.32 MB
カタログ
PDF4.87 MBEnglish
製品変更通知
PDF3.82 MBEnglish
製品変更通知
PDF1.91 MBEnglish
製品変更通知

設計・開発

モデル