概要

説明

The RBA250N10CHPF-4UA02 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 2.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 9500pF TYP. (VDS = 50 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 659 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
5 items

設計・開発

ボード&キット

ボード&キット

モデル