概要

説明

The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A)
  • Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • Logic level drive type
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Small size package 8-pin HSON

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 223 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 223 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6 items

設計・開発

モデル