The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A)
  • Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • Logic level drive type
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Small size package 8-pin HSON

製品選択

製品名 Part Status Pkg. Type Carrier Type 購入/サンプル
NP33N06YDG-E1-AY
Active HSON Embossed Tape
Availability
NP33N06YDG-E2-AY
Active HSON Embossed Tape
Availability

ドキュメント&ダウンロード

タイトル 他の言語 分類 形式 サイズ 日付
データシート
NP33N06YDG Data Sheet データシート PDF 223 KB
ユーザーガイド、マニュアル
Power Devices Part Number Guide ガイド PDF 1.89 MB
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
その他資料
PowerMOSFET & IPD カタログ PDF 2.24 MB