IDT、RFスイッチ性能を向上させる Kz定インピーダンス技術を採用した新しいSPDTスイッチを発表

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アイソレーションや線形性、挿入損失を低下させることなく、ポート切り替えの遷移時にすべてのポートで定インピーダンスを実現するIDTのF2923

2015年11月30日

 IDT®社(Integrated Device Technology, Inc.、本社:米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ:IDTI)は本日、特許出願中のKz定インピーダンス技術を採用した業界初の単極双投(SPDT)RFスイッチを発表しました。このIDT F2923は、低挿入損失のSPDT吸収型RFスイッチで、基地局(2G、3G、4G)や無線バックホール機器、ケーブルTV、ポータブル端末など、さまざまなRFアプリケーションに最適です。

 Kz機能は、RFポートの切り替え中にポートインピーダンスを制御し、リターンロスを維持します。Kzを採用していない標準的なスイッチの場合、RFパスの切り替え時に、スイッチのインピーダンスが十分に制御されないため、電圧定在波比(VSWR)が大きいトランジェントが発生します。トランジェントのVSWRが大きいと、システム性能や信頼性を低下させる原因となります。 

 Kzが実現する動的な「ホットスイッチング」は、次のようなメリットをもたらします。

  • TDDシステムにおいて、切り替えが行われるTx/Rxシンセサイザのプリングや回復時間を最小限に抑えます。
  • PAやドライバ、LNAなど、2つのRF要素を切り替える際、損傷やエラーの原因となるトランジェントを防ぎます。
  • 3dBカプラーや4ウェイスプリッタなど、分配ネットワークでパスを切り替える際、切り替え対象ではないパスのトランジェント振幅や位相エラーを最小限に抑えます。

 IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「この最新SPDTスイッチは、IDTの新しいKz技術を活用することで、システム内に乱れを生じさせることなく、ホットスイッチング性能の堅牢性を劇的に高め、定インピーダンスを実現します。RF分野において、システム開発者が求める中核的な技術革新を牽引するIDTのリーダーシップが、F2923によってあらためて実証されました」

 新デバイスはKz技術に加え、次のような特長を備えています。

  • 2GHz時にわずか0.48dBの挿入損失
  • 2GHz時に65dBm以上のIIP3
  • 2GHz時に74dBという業界トップクラスのアイソレーション

 300kHz~8000MHzの幅広い周波数範囲に対応するIDTの革新的なKz技術により、新デバイスは、RFポートの切り替え時に、アイソレーションや線形性、低挿入損失といった特性を低下することなく、ほぼ一定のインピーダンスを実現できます(VSWRは1.4:1未満。標準的なスイッチの場合は9:1)。F2923は、3.3Vの単一正電源電圧を使用しており、標準の1.8Vまたは3.3Vの制御ロジックレベルをサポートしています。

F2923 RFスイッチは現在サンプル出荷中です。パッケージは4×4mm 20ピンTQFNです。

 

IDT社のRF製品について

 IDT社は、コンパクトなパッケージで卓越した性能を発揮する、高性能かつフル機能を備えた無線周波数(RF)ミキサーおよびゲインコントロール製品を提供しています。RF信号パス製品には、低消費電力かつ低歪のRFから中間周波数(IF)のミキサー、および低ノイズかつ高性能の中間周波数(IF)可変ゲインアンプ(VGA)、低ノイズ高性能デジタルステップアッテネータ(DSA)、高性能低挿入損失RFスイッチなどがあります。これらのデバイスは、携帯電話の4G基地局、広帯域リピータ、分散アンテナ・システム、マイクロ波バックホール機器といった製品に理想的です。

 

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