RJF0604JPD

60V, 5A シリコン N チャネルサーマル FET 電力スイッチング

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OVERVIEW

本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

KEY FEATURES

    • ロジックレベル (4 V) 駆動型パワーMOS FET です。
    • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。
    • 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
    • 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。
    • 電流制限回路を内蔵しております。
    • 電源電圧は 12 V,24 V を適用しています。
    • AEC-Q101 準拠

PARAMETRICS

Parameters
RJF0604JPD
Basic Information
Nch/Pch
Nch
構造
Single
車載
YES
VDSS (V)
60
ID (A)
5
RDS (ON) (mohm) (max) @4V~4.5V
100
RDS (ON) (ohm) (Typ.) @4V~4.5V
58
RDS (ON) (mohm) (max) @8V~10V
75
RDS (ON) (ohm) (Typ.) @8V~10V
42
Pch (W) .
30
Tsd (°C) (Typ.)
175
パッケージタイプ
DPAK(S)
Production Status
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