パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TO-247 |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | 3 |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | TO-247 |
| Carrier Type | Tube |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Assembly Location | CHINA |
| Wafer Fab Location | JAPAN |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 1000 |
| Coss (Typical) (pF) | 110 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 34 |
| Lead Count (#) | 3 |
| Price (USD) | $5.02512 |
| Qg typ (nC) | 16 |
| Qoss (nC) | 120 |
| Qrr typ (nC) | 120 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 50 |
| RDSON (max) (mΩ) | 60 |
| Ron * Qoss (FOM) | 6000 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 4 |
| trr (Typical) (nS) | 50 |
TP65H050G4WS に関するリソース
説明
TP65H050G4WS 650V 50mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H050G4WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。