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概要

説明

TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 独自の技術を使用しているため、パッケージ内部のインダクタンスが低減され、組み立てプロセスが簡素化されます。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。 また、このデバイスは175°Cまでの車載用認定を受けており、車載グレードのディスクリート半導体のAEC-Q101ストレステストに合格しています。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H035G4WSQAは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

特長

  • AEC-Q101認定のGaNテクノロジー
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 突入電流能力の向上
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ

製品比較

アプリケーション

  • 自動車
  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.19 MB
1件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models