メインコンテンツに移動
ご購入

概要

説明

TP65H035G4WS 650V 35mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H035G4WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

特長

  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 突入電流能力の向上
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ

製品比較

アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.21 MB
1件

設計・開発

ボード&キット

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models