概要
説明
R1LV1616HSA-Iシリーズは、1-Mワード x 16ビット構成もしくは2-Mワード x 8 ビット構成の16MビットスタティックRAMであり、1ビットエラー訂正対応のECCを内蔵しています。CMOSプロセス技術（6トランジスタメモリセル）を採用し，高密度，高性能，低消費電力を実現しております。したがって，R1LV1616HSA-Iシリーズはバッテリバックアップシステムに最適です。
パッケージの種類は，高密度実装可能な48ピンTSOPIが用意されております。
特長
- 3.0V 単一電源：2.7V ～ 3.6V
- アクセス時間：45/55ns（max）
- 消費電力
-動作時：9mW/MHz（typ）
-スタンバイ時：1.5μW（typ） - 完全なスタティックメモリです。
-クロック，タイミングストローブを必要としません。 - アクセスとサイクル時間が同じです。
- データ入力と出力が共通端子です。
-スリーステート出力 - バッテリバックアップ動作が可能です。
-2CSによるデータ保持動作 - 温度範囲：-40 ～ +85°C
- BYTE#とA-1入力信号により、Byteモード（x8モード）動作が可能です。
- 1ビットエラー訂正ECC(error checking and correction)内蔵
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 475 KB English | |
| ガイド | PDF 2.41 MB English | |
| ガイド | PDF 284 KB English | |
| ガイド | PDF 1.31 MB English | |
| パッケージ外形図 | PDF 77 KB | |
| 製品変更通知 | PDF 1.08 MB English | |
| 製品変更通知 | PDF 1.71 MB English | |
| テクニカルアップデート | PDF 125 KB English | |
8件
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製品選択
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