パッケージ情報
| Lead Count (#) | 10 |
| Pkg. Code | LBB |
| Pitch (mm) | 0.5 |
| Pkg. Type | DFN |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.00 x 3.00 x 0.90 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8542390001 |
| RoHS (ISL80111IRAJZ-T) | ダウンロード |
製品スペック
| Lead Count (#) | 10 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Temp. Range | -40 to +85°C |
| Country of Assembly | Malaysia |
| Country of Wafer Fabrication | Taiwan |
| Price (USD) | 1ku | 1.07636 |
| Drop Out Voltage (Typical) | 27 @ 1A |
| Enable/Shutdown | Yes |
| External Bias | Yes |
| Fixed Output Voltage Option | No |
| Input Voltage (Max) (V) | 3.6 |
| Input Voltage (Min) (V) | 0.7 |
| Input Voltage Range (V) | 1 - 3.6 |
| Length (mm) | 3.0 |
| MOQ | 6000 |
| Noise (10Hz to 100kHz) (μVrms) | 100 |
| O/P Voltage Accuracy (±%) | 1.6 |
| Output Current 1 (Max) (A) | 1 |
| Output Voltage (Max) (V) | 3.3 |
| Output Voltage (Min) (V) | 0.5 |
| Output Voltage Range (V) | 0.8 - 3.3 |
| PGOOD Output | Yes |
| PORs (#) | 1 |
| PSRR (db) | 80 |
| Parametric Category | Linear Regulators (LDO) |
| Pitch (mm) | 0.5 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.0 x 3.0 x 0.90 |
| Pkg. Type | DFN |
| Qualification Level | Standard |
| Quiescent Current | 3500 µA |
| Thickness (mm) | 0.90 |
| Width (mm) | 3.0 |
説明
ISL80111、ISL80112、およびISL80113は超低ドロップアウトLDOで、データ通信、コンピューティング、ストレージ、および医療アプリケーションなど、サイズに制約のある設計において性能、サイズ、消費電力の最適なバランスを提供します。 これらのLDOは、1A、2A、および3Aの出力電流に対して仕様が規定されており、低電圧変換用に最適化されています。VIN が 1V～3.6V、BIAS が従来の 2.9V～5.5V で動作し、VOUT は 0.8V～3.3V で調整可能です。100kHzでVIN V入力PSRRが40dBを超えるため、ノイズに敏感なアプリケーションに最適です。 保証された±1.6%のVOUT精度の全体的な条件により、最新の低電圧デジタルICに正確な電圧を供給することができます。 イネーブル入力により、デバイスは低静止電流シャットダウン・モードにすることができます。 この製品ファミリにはサブミクロンのCMOSプロセスが使用されており、通常2.5V未満の入力電圧変換を必要とするアプリケーションにクラス最高のアナログ性能と全体的な価値を提供します。 また、NMOSパワー段特有の優れた負荷過渡レギュレーションも備えています。 これらのLDOは、バイポーラLDOと比較して負荷の関数として消費する静止電流が大幅に小さくなります。