NP30N04QUK

40 V – 30 A – Dual N-channel Power MOS FET

最新トレンチ技術による「0.25umのANL3プロセスをはじめとする微細化技術」「新マルチ・ボンディングを用いたパッケージ技術」による世界最高レベル の超低ON 抵抗を実現し車載仕様に適した製品を取り揃えております。 [注意] 弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意があります。 必ずご一読下さい。

Product Status: Mass Production

OVERVIEW

NP30N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

KEY FEATURES

    • Super low on-state resistance
      RDS(on) = 8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)
    • Low Ciss: Ciss = 1600 pF TYP. (VDS = 25 V)
    • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
    • Small size package 8-pin HSON dual

PARAMETRICS

Parameters
NP30N04QUK
Basic Information
Production Status
量産中
PLP
-
Package Type
HSON-8 dual
Nch/Pch
Nch
Number of Channels
Dual
VDSS (V) max.
40
ID (A)
30
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V
8
Ciss (pF) typ.
1600
Vgs (off) (V) max.
4
VGSS (V)
20
Pch (W)
59
Application
Automotive Use
Mounting Type
Surface Mount
Series Name
NP Series
QG (nC) typ.
27

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