MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

特長

  • High speed switching
  • Capable of 4.5 V gate drive
  • Low drive current
  • High density mounting
  • Low on-resistance
    RDS(on) = 5.5 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
  • Pb-free
  • Halogen-free

descriptionドキュメント

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データシート
star RJK0451DPB Datasheet データシート PDF 98 KB
ユーザーガイド、マニュアル
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項 English アプリケーションノート PDF 633 KB
パワーMOS FETアプリケーションノート English アプリケーションノート PDF 1.93 MB

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