Renesas社はデュアルポートRAMの主要なサプライヤです。デュアルポートSRAMに関する専門技術と高性能の回路技術を適用しているだけでなく、システム設計の豊富な経験を効果的に取り入れることで、同期／非同期のデュアルポートRAM製品を実現しています。
Renesas社の非同期デュアルポートメモリ製品は、データ／アドレス／制御用の入出力にクロックを使用しません。コア部の電源電圧は1.8Vなので、消費電力を非常に少なく抑えることができます。
主な特徴
- 同一のメモリ領域から同時にリードが可能な真のデュアルポートメモリセル
- コア部の電源電圧：1.8V（消費電力が非常に少ない）
- ADM（アドレス／データの多重化インタフェース）
- 標準的なSRAMインタフェース
- 構成：4K×16（64K）/8K×16（128K）/16K×16（256K）
- 動作電流とスタンバイ電流が少ない（代表値はそれぞれ15mA、2μA）
- 複数の電源電圧構成（1.8V、2.5V、3.0V）
- 共通のピン配置／占有面積
- システムの電源管理を補助する電源絶縁機能
- 入力のリード／アウトプットの駆動に対応するレジスタ
- 小型のパッケージ（6×6×1mm、0.5mmピッチのfpBGA100/5×5×1mm、0.5mmピッチのfpBGA81）
- 設計の複雑さを軽減
- 製品の市場投入までの期間を短縮
Renesasが提供する低消費電力のデュアルポートメモリ製品は、業界標準に準拠しつつ、革新的な機能とスピードによって、システムレベルの設計に卓越した性能と価値をもたらします。バスの競合やシステムの待ち状態を回避するための複数の調停手法を採用することで、同時アクセス機能を実現しています。
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