概要

説明

NP29N06QDK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 7.5 A)
  • Low Ciss: Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Small size package 8-pin HSON dual

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 476 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 222 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6 items

設計・開発

ボード&キット

ボード&キット

モデル