ISL71040MEV1Z評価プラットフォームは、ISL71040M評価用に設計されています。ISL71040MローサイドGaN FETドライバは、絶縁トポロジおよび昇圧タイプ構成で、エンハンスモードのガリウム窒化(GaN)FETを動作させるように設計されています。これは4.5V~13.2Vで動作し、単一デバイス内での非反転および反転ゲート駆動を評価するため、両方の入力が行えます。ISL71040Mは、4.5Vのゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、エンハンスモードGaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部レギュレータを使用して生成されます。さらに特徴として、低電圧ロックアウト(UVLO)保護があります。これは入力(INおよびINB)を無視し、OUTLのオン状態を維持して、VDRVがUVLO閾値を下回ると、必ずGaN FETをオフにします。ISL71040M入力は、VDD電圧に関係なく、最大14.7Vの電圧に耐えることができます。これによりISL71040M入力は、ほとんどのPWMコントローラに直接接続できます。ISL71040Mの分割出力により、オン/オフ切り替えパスにインピーダンスを追加することで、オン/オフ速度を独立して調整できる柔軟さを持たせることができます。

特長

  • 幅広いVDD範囲シングル
    • 4.5V~13.2V
  • GaN FETを切り替える負荷抵抗器を設置するスペース
  • ゲート波形を解析するためのゲート駆動電圧のSMAコネクタ
  • ドレイン-ソース波形を解析するためのドレイン/ソースセンステストポイント
  • 電源供給およびドレイン/ソース接続用のバナナジャックコネクタ

アプリケーション

  • フライバックおよびフォワードコンバータ
  • ブーストおよびPFCコンバータ
  • セカンダリ同期FETドライバ

ドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
データシート
ISL71040M Datasheet データシート PDF 681 KB
ユーザーガイド、マニュアル
ISL71040MEV1Z User's Manual マニュアル PDF 835 KB

ダウンロード

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
その他資料
ISL71040MEV1Z Design Files 設計ファイル ZIP 1.39 MB