超低运行功率和超低泄漏功率

SOTB依靠仅有传统低功耗MCU设备约1/10功耗的能量收集,成就了无电池产品,同时支持必须进行维护的电池长寿化产品。

搭配组合SOTB的无掺杂通道、浅表埋层氧化物绝缘层,以及背面开口,可实现如下效果。相较于标准的Bulk CMOS技术(红色),SOTB可通过抑制电压临界值的波动(蓝色),降低运行电压与电流。此外,通过对基板施加负的反偏压电压(绿色),SOTB设备能够大幅削减待机期间泄漏的电流。

可扩展性

与不使用SOTB的MCU相比,SOTB扩展了低、中、高性能MCU设备的性能,并维持了优秀的低功耗特性。与40nm到180nm的非SOTB处理相比,此处列举的65nm SOTB拥有非常优秀的单位功耗性能。SOTB能够在维持低功耗特性的同时,实现低、中、高性能MCU设备的性能。如下图所示,与40nm到180nm的非SOTB处理产品相比,65nm SOTB拥有非常优秀的单位功耗性能。

SOTB:以节点为单位逐个进行处理,覆盖各式产品范围。

高性能模拟与低干扰性

依靠无掺杂通道,SOTB处理可提供低功耗、低干扰、高精度的高性能模拟。以下是通过ISSCC报告的嵌入用模拟 - 数字转换器(ADC)模拟精度、干扰性能、功耗值。

高可靠性

SOTB的埋层氧化物(BOX)绝缘层,能够减轻放射线的影响,大幅削减软错误率(SER)。SOTB与传统Bulk CMOS晶体管结构的相对SER比如下所示。

References:K. Kobayashi et al., IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 61, no. 4, pp. 1881-1888, Aug. 2014.