特性

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 200 A, VGE = 15 V, Tc = 25°C)
  • High-Speed Switching
  • Short circuit withstands time (10 μs min.)

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star RJP65S08DWA/RJP65S08DWS Datasheet 数据手册 PDF 77 KB
Attention of Handling Semiconductor Devices 日本語 应用文档 PDF 648 KB
TO-247plus Package 日本語 应用文档 PDF 506 KB
Usage Notes for Paralleled IGBT 日本語 应用文档 PDF 941 KB
IGBT Application Note 日本語 应用文档 PDF 1.05 MB
Discrete & Power Devices Brochure 手册 PDF 1.92 MB
Analog ICs Brochure 日本語 手册 PDF 4.20 MB
模拟&功率器件型号速查手册 手册 PDF 3.28 MB
瑞萨 分立器件 综合产品目录 晶体管/二极管/双向晶闸管/晶闸管 手册 PDF 11.56 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages 手册 PDF 1.32 MB
可靠性手册 其他 PDF 15.93 MB

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