高级半导体解决方案的主要提供商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）于2011年1月31日正式宣布推出光学耦合MOSFET PS7901D- 1A。该器件通过使用光信号传输，达到了在封装内完全电气绝缘。
PS7901D- 1A型器件的最大特点是采用全球最小级别、尺寸只有2.9毫米（mm）×2.3毫米的4针超小型扁平引线封装，面积比瑞萨电子现有的PS78系列产品减小 了40%，同时可以保证与瑞萨电子现有产品相同的500伏（V）隔离电压。封装内的MOSFET芯片具有低输出电容和低漏电流的特性。处于关闭状态时的极 低的漏电流，使得PS7901D- 1A非常适合高频率信号控制的应用，如IC测试。
光学耦合MOSFET器件中，封装了三种不同的元件：在输入端， 一个发光二极管（LED）将电信号转换成光； 在输出端，一个光伏二极管（PVD）将光转换成电信号。另外还有一个输出MOSFET。因为用光实现信号传输，故输入端和输出端完全相互绝缘。这种类型的 设备也被称为固态传播（SSR）。
与机械传播相比，半导体传播不受磨损故障，或异物干扰。出于这个原因，机械传播在广泛的领域内，正在被固态传播（SSR）所取代，包括IC测试仪，工厂自动化设备，家用电器，通讯设备等。
目前，在计量测试市场伴随被测试器件的高速化、高性能化、多管脚数化，更紧凑，更高速的固态传播（SSR）测试设备市场的需求在增长。特别是IC测试，通 过大量开关切换信号，为提高装置的小型化和处理能力，市场上出现了对紧凑型，高速，光纤耦合MOSFET的需求。然而，减少光耦合的封装尺寸难在不仅要保 持足够的隔离距离 (注 1) 以确保足够的绝缘电压，还要实现高光耦合效率 (注 2)。
而PS7901D- 1A器件可以满足上述要求，该器件可为开发紧凑型、性能优良的产品助一臂之力。
(1) 行业领先的紧凑封装，安装面积减少约百分之四十
利用公司在光电耦合器和光耦合MOSFET器件方面多年积累的技术，改良了封装的内部结 构，从其左，右引线框架不同的高度，变为引线框架面对面。从而，有可能实现更小的封装尺寸，同时又保障了光线发射元件和光线接收元件之间的必要的距离和角 度。其封装面积为2.9 mm × 2.3 mm，约为瑞萨电子公司现有小型扁平引脚封装（4.6毫米×2.5毫米）产品的40%，但仍然保证了500伏特的绝缘电压。
(2) 实现了全球最小级别的低输出电容0.75皮法（pF）
MOSFET作为输出元件，采用了瑞萨电子的独家硅绝缘体（SOI）技术。这使得输出电 容只有0.75 pF，在同行业中最低。MOSFET的问题是，在电流关闭状态时，信号通过输出电容会有泄漏。PS7901D-1A的输出电容大约比瑞萨电子现有的紧凑型 封装产品低25%，使得有可能抑制信号的泄漏，因此PS7901D- 1A更适合高频时工作。
(3) 漏电流降低70%
通过对MOSFET栅极膜的结构优化，漏电流减少百分之七十。从现有的瑞萨电子产品100微微安(pA)，降低为30微微安(pA)。这有助于实现设备的高测量精度。
瑞萨电子认为，PS7901D- 1A适合集成电路测试仪为首的，各种工厂自动化/办公设备的小型化和薄型化应用。公司正面向国内及海外积极推广销售。
PS7901D-1A的主要规格请参阅 附件 。
(注 1) 绝缘距离:
发光元件和光接收元件之间的距离。
(注 2)光耦合效率:
发光元件和光接收元件之间的透光率。
瑞萨电子PS7901D-1A的样品现已供货，售价为2.5美元。预计于2011年上半年开始批量生产，预计达到每月100万片。（定价和供货情况如有变更，恕不另行通知。）
(注)
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