提高了卫星广播天线的接收灵敏度,改善了图像质量
2011年1月20日

高级半导体解决方案的主要提供商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称瑞萨电子)于2011年1月20日正式宣布推出超低噪声异质结场效应晶体管(FET)产品 - NE3520S03,其具有业内领先的低噪声特性,适于卫星广播接收应用。

 

  新款NE3520S03 FET采用具有外延结构(注释1)的半导体芯片,加快了电子速度,大幅降低了源电阻。此外,还利用三维电磁场分析在达到千兆赫水平的高频率下提升了产品性 能,同时还采用空心塑料封装,从而能够轻松取代瑞萨电子现有的NE3517S03产品。这些改进实现了0.65dB的噪声指数(NF),比现有产品低 0.05dB,噪声指数是世界上面向20GHz频带的量产产品中最低的。

 

  新产品让卫星广播天线制造商能够提高使用高清晰度(HD)TV广播等信号的产品的接收灵敏度。

 

  低噪声异质结FET产品主要面向用于接收卫星广播和卫星数据通信的天线的低噪声模块转换器(LNB,注释2)。它们是用于放大卫星发射的弱微波信号的主要器件。单个LNB采用3至20个低噪声异质结FET器件,较低的噪声指数有助于实现更稳定的接收和更高的图像质量。

 

  最近,随着数字广播在全球范围内的普及,TV广播的图像质量提高了,频道数量也增加了。尤其是,使用微波信号(它允许使用比地面广播更宽的带宽)的卫星广播推动了在大量频道上进行的HD广播的发展。

目前,大多数卫星广播采用12GHz频带。然而,2005年美国成为世界上第一个采用20GHz频带(它特别适于在很多频道上播放高质量节目)进行广播的国家,预计这项技术的市场会迅速扩大。

 

  除了提供比12GHz频带宽的带宽以外,采用20GHz频带进行的卫星广播允许使用更小的天线,因为它使用的波长更短。另一方面,这类天线更易受天气条件 (如雨)的影响,卫星广播对稳定接收的需求导致了对面向转换器内低噪声放大器的低噪声微波半导体器件的需求的增长。新款NE3520S03 FET正好可以满足这种需求,还能改善低噪声性能。

 

(1) 实现了业内领先的低噪声性能

  为了降低超高频下的噪声,新款NE3520S03采用一种利用高电子密度、薄层技术实现的新型外延晶圆结构。这提高了电子穿过通道的速度,降低了源电阻,实现了0.65dB(这是面向20GHz频带的量产产品领域最低的)的噪声指数和13.5dB的相关增益。

 

(2) 利用三维电磁场分析优化了高频封装,以便适应20GHz频带

  瑞萨电子在1996年为12GHz低噪声异质结FET产品开发的空心塑料封装的结构现在已经成了行业标准,通过三维电磁场分析对其进行了优化。这样,就可 以将器件的可用频率范围延伸至20GHz频带。缩短了用户用NE3520S03取代现有产品所需的开发时间,因为可以有效发挥半导体芯片的性能,同时保持 了与现有的20GHz频带低噪声异质结FET产品几乎相同的输入/输出阻抗。

 

  面向卫星广播接收的低噪声异质结FET产品具有出色的性能,并且为瑞萨电子赢得了该类产品最高的全球市场份额(瑞萨估计值)。公司打算继续开发先进的产品来满足不断变化的市场需求,并大力推广此类产品。

 

了解新产品主要技术规范方面的更多信息,敬请参照 附件

 

(注释1)外延结构
通过晶体生长在半导体基片上形成的一种多层结构。外延结构和工艺技术可以用于生产栅电极与欧姆电极,决定了场效应晶体管的频率性能。

(注释2)LNB(低噪声模块转换器)
一种电路模块,可以将广播卫星发射的弱电磁波放大到TV接收器或机顶盒内的信号解码器能够处理的水平,还可以进行频率转换。

 

瑞萨电子现已开始供应新款NE3520S03 FET样品。2011年3月开始批量生产,月产量为1,000,000件。预计4款面向20GHz频带的低噪声异质结FET产品的月总产量将达到 7,000,000件。(定价和供货情况如有变更,恕不另行通知。)今天开始在日本发售样品。

 

(注)
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关于瑞萨电子株式会社

瑞萨电子株式会社 (TSE: 6723) ,提供专业可信的创新嵌入式设计和完整的半导体解决方案,旨在通过使用其产品的数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。作为全球领先的微控制器供应商、模拟功率器件和SoC产品的领导者,瑞萨电子为汽车、工业、家居、基础设施及物联网等各种应用提供综合解决方案,期待与您携手共创无限未来。更多信息,敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号,发现更多精彩内容。


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