GreenFET高性能負荷スイッチは、負荷電流が1Aから9Aの範囲で、0.25Vから25.2Vのハイサイド電源レール制御アプリケーション向けに開発・最適化されています。

独自のMOSFET開発により、すべてのGreenFET負荷スイッチは、広い入力および電源電圧範囲にわたって安定したRDSONを実現します。 独自のMOSFET IPと高度なアセンブリ技術を組み合わせたこれらの最先端製品は、0.56mm²~5.04mm²の超小型PCBフットプリントで利用可能で、大電流に対する低熱抵抗を実現します。

ディスクリートFET回路の実装と比較して、GreenFET製品は、高性能nFETまたはpFET構造、高電流処理能力、チャージポンプ、および複数の保護・制御回路を、スペース効率の高いシングル・チャネルおよびデュアル・チャネル製品に統合しています。 これらすべての高度な機能の組み合わせは、BOM(部品表)およびコストの削減に直結するだけでなく、システムの信頼性を高め、基板サイズを縮小します。

すべての低電圧および高電圧GreenFET負荷スイッチは、商用(0 °C~70 °C)、拡張商用(-20 °C~70°C)、産業用(-40 °C~85 °C)、拡張産業用(-40 °C~125 °C)の温度範囲で開発され、特性を評価しています。 ルネサスの負荷スイッチは、非常に低い温度勾配の発生に対応しており、低熱抵抗、STDFN/STQFN RoHS対応パッケージ、およびウェハレベル・チップスケール・パッケージ(WLCSP)を提供しています。

特長

  • 高性能nFET MOSFET
    • 低RDSON:13.3mΩ
    • 超低ΔRDSON/ΔVIN:<0.05mΩ/V
    • 超低ΔRDSON/ΔT:<0.06mΩ/°C
  • 内部の保護機能
    • 内部過渡電圧サプレッサ(一部の型名)
    • 自動nFET SOA保護(5Wおよび10Wオプション)
    • ピン選択可能な過電圧および低電圧ロックアウトウィンドウ
    • 固定およびキャパシタ調整が可能な突入電流制御
    • 固定および抵抗調整が可能な電流制限
    • 内部短絡電流制限
    • サーマル・シャットダウン
    • 高速VOUT放電
  • オープンドレインFAULT 信号
  • オープンドレイン パワーグッド信号
  • MOSFET IDSアナログ電流または電力出力負荷モニタ(一部の型名)
  • UL2367認証取得(一部の型名)

アプリケーション

  • USB Type CハイエンドスマートフォンとタブレットPC
  • 5V、12V、15V、20Vシステムのポイントオブロード(POL)電力分配
  • 企業向けコンピュータおよび通信機器
  • 多機能プリンタ
  • ファンモータ・ドライブ
  • 企業向けコピー機
  • セットトップボックス
  • 汎用、高電圧電源レールスイッチング
  • PCIe/PCIアダプタカード

ダウンロード

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