特長

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
  • Isolated package
  • Trench gate and thin wafer technology (G7H series)
  • High-Speed switching
  • Operation frequency (50Hz ≤ f ˂ 20kHz)
  • Not guarantee short circuit withstand time

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
データシート
star RJP65T54DPM-A0 Data Sheet (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit) データシート PDF 520 KB
ユーザーガイド、マニュアル
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
アプリケーションノート、ホワイトペーパー
パワーMOSFET・IGBT 使用上の注意事項 English アプリケーションノート PDF 633 KB
TO-247plus外形について English アプリケーションノート PDF 655 KB
IGBTの並列使用について English アプリケーションノート PDF 1.23 MB
IGBTアプリケーションノート English アプリケーションノート PDF 1.16 MB
その他資料
Discrete & Power Devices Brochure カタログ PDF 1.92 MB
アナログIC & ディスクリート カタログ English カタログ PDF 6.48 MB
Renesas Semiconductor Lead-Free Packages カタログ PDF 1.32 MB