The RBA250N04AHPF-4UA01 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 0.85 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 12900pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
star 40V – 250A – N-channel Power MOS FET Application : Automotive データシート PDF 639 KB
Power Devices Part Number Guide ガイド PDF 2.00 MB
弊社の車載向けアナログ&パワー製品に関しての使用上のご注意 ガイド PDF 596 KB
パワーMOS FETアプリケーションノート English アプリケーションノート PDF 1.93 MB
PowerMOSFET & IPD カタログ PDF 2.24 MB

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