概览

简介

The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)
  • Low input capacitance
    Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • High current
    ID(DC) = ±82 A
  • RoHS Compliant

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
应用文档 PDF 648 KB 日文
数据手册 PDF 470 KB
2 items

设计和开发

模型