特性

  • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
  • Isolated package
  • Trench gate and thin wafer technology (G7H series)
  • High-Speed switching
  • Operation frequency (50Hz ≤ f ˂ 20kHz)
  • Not guarantee short circuit withstand time

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文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
数据手册与勘误表
star RJP65T54DPM-A0 Data Sheet (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit) 数据手册 PDF 520 KB
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